🔍 À propos de cette famille
Les MOSFETs N-channel sont des transistors de puissance à effet de champ utilisés pour la commutation de charges dans les alimentations à découpage, les variateurs de moteurs et les systèmes de gestion de puissance. Leur principale caractéristique est la faible résistance RDS(on) qui minimise les pertes en conduction, tandis que la charge de grille détermine les pertes en commutation. Le choix entre différents modèles dépend principalement du compromis entre tension drain-source maximale (VDS), courant continu supporté (ID) et rapidité de commutation.
💡 Critères de sélection
Pour sélectionner un MOSFET N-channel : (1) La tension VDS doit être supérieure d'au moins 20% à la tension maximale de votre application pour gérer les surtensions transitoires. (2) Le courant ID continu doit être choisi avec une marge de 50% par rapport au courant nominal pour tenir compte de l'élévation de température. (3) La résistance RDS(on) détermine les pertes en conduction - pour des courants élevés, privilégiez les valeurs les plus basses même si le coût est supérieur. (4) La charge de grille Qg devient critique au-dessus de 100kHz de fréquence de commutation.
⚙️ Considérations de conception
Le montage thermique est crucial : un MOSFET dissipant 5W en continu nécessite un radiateur avec résistance thermique <10°C/W. Utilisez toujours une résistance de grille de 10-47Ω pour limiter les oscillations parasites. Pour les applications PWM >20kHz, un driver de grille dédié (TC4420, IR2110) améliore significativement les performances. Les diodes body parasites ont un temps de recouvrement qui peut générer des pertes importantes dans les ponts en H ou convertisseurs bidirectionnels - ajoutez une diode Schottky externe en parallèle si nécessaire.
Spécifications Techniques
| Tension drain-source max | 600V |
| Tension gate-source max | 20V |
| Courant drain max | 30A |
| Résistance à l'état passant | 125mΩ |
| Charge de grille | 18nC |
| Dissipation max | 89W |
| Tension de seuil | 3.5V |
| Polarité | N |
| Boîtier | TO-252 (DPAK) |
Caractéristiques Principales
- Technologie CoolMOS G7
- Rds(on) 125 mΩ
- VDS 600V courant 30A
- Qg faible 18 nC
- Figure de mérite optimisée
- Température -55°C à +150°C