🔍 Présentation technique
MOSFET HEXFET N-channel haute performance de International Rectifier (maintenant Infineon) conçu pour convertisseurs DC-DC haute fréquence. Spécifications 200V/56A avec RDS(on) exceptionnellement faible de 40mΩ typ. (max 50mΩ) permettant pertes en conduction minimales. Technologie 5ème génération HEXFET optimise densité de puissance. Charge grille-drain faible et commutation rapide adaptées aux fréquences 50-200kHz. Capacitance COSS effective réduit pertes de commutation. Package TO-220AB robuste avec dissipation 300W. Test avalanche complet garantit fiabilité. Température jonction jusqu'à 175°C. Idéal alimentations synchrones, parallélisation facile, applications automotive et convertisseurs haute efficacité nécessitant courants élevés sous tension modérée.
💡 Guide de sélection
Choisissez l'IRFB260 pour applications 48-160V nécessitant >30A avec efficacité maximale. Son RDS(on) ultra-bas le rend idéal pour convertisseurs buck/boost synchrones, alimentations serveurs, onduleurs batteries (12V/24V), et contrôleurs moteurs brushless. Préférez-le au IRFP260 (TO-247) si contraintes d'espace ou coût. Pour >200V, considérez IRFP460 (500V). Alternative moderne: IRL2505 (55V/104A) pour très basses tensions. L'IRFB260 supporte parallélisation pour applications >100A. Évitez si tension dépasse 180V - marge insuffisante. Disponibilité bonne, attention contrefaçons: testez RDS(on) systématiquement.
⚙️ Conseils d'utilisation
Dissipateur impératif pour >20A: visez Rth-JA <25°C/W. Pour parallélisation, équilibrez courants avec résistances source 10-50mΩ. Driver de grille costaud requis (2-4A crête) pour commutation rapide - utilisez IR2110 ou équivalent. Snubber obligatoire dans SMPS >100W: typiquement 10-33Ω/4.7nF polypropylène. PCB critique: traces larges (>5mm) pour Drain/Source, vias multiples. Gate: résistance 4.7-10Ω proche du pin. Mesure température en service: ne jamais dépasser 100°C boîtier. Graisse thermique Arctic Silver recommandée. Couple serrage vis: 0.5N⋅m. Prévoyez fusible ultra-rapide 1.5x courant nominal.
📝 Retour d'expérience
Un de mes MOSFETs préférés pour forte puissance - le RDS(on) minuscule fait vraiment la différence. J'ai réalisé une alimentation 48V/40A avec 2× IRFB260 parallèles qui reste tiède même en charge continue. Astuce importante: les faux sont fréquents - testez toujours avec courbe Vgs(Vds) avant production. Les vrais ont marquage laser net "IRFB260N". Dans mes designs, je dimensionne toujours thermique pour 60% de Imax. Excellent rapport performance/prix si authentique. Remplacement idéal pour IRFP250 dans anciennes alimentations.
Spécifications Techniques
| Tension drain-source max | 200V |
| Tension gate-source max | 20V |
| Courant drain max | 56A |
| Résistance à l'état passant | 40mΩ |
| Charge de grille | 150nC |
| Dissipation max | 380W |
| Tension de seuil | 4V |
| Polarité | N |
| Boîtier | TO-220AB |
Caractéristiques Principales
- HEXFET Power MOSFET
- Charge grille-drain faible
- Commutation rapide
- Avalanche caractérisée
- Capacitance COSS effective
- Pertes commutation réduites